Semiconductor Digest· Shannon Davis·· 8 天前AI 评分40
汉阳大学团队在Nature发表EF-SCN方法实现二维半导体单晶定点成核
Hanyang University Researchers Gain Control Over Where Semiconductor Crystals First Form
AI 导读
汉阳大学团队提出蚀刻通量介导的单中心成核（EF-SCN）方法，利用氧化铪释放氧气抑制边缘成核，实现二维半导体单晶的精准定位生长。该技术在400个位点实现超99%单晶良率，制备的MoS₂场效应晶体管迁移率达117 cm² V⁻¹ s⁻¹，为高密度电子电路集成提供新框架。
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