汉阳大学在Nature发表二维半导体定点成核技术
热点事件历史事件
汉阳大学在Nature发表二维半导体定点成核技术
1 篇报道1 个报道来源8 天前更新
先了解这件事
AI 综述
韩国汉阳大学金宇熙教授团队在《自然》杂志发表论文，提出蚀刻通量介导的单中心成核（EF-SCN）方法，成功实现二维半导体单晶的精准定位生长。 该技术在图案化基底上生长二硫化钼时，通过在指定生长区域周围设置氧化铪屏障，利用其在750°C加热时释放氧气来抑制边缘成核。实验显示，该方法在400个位点实现了超过99%的单晶良率，制备的场效应晶体管迁移率达117 cm² V⁻¹ s⁻¹，为高密度电子电路集成提供了新的技术框架。
AI 根据报道生成 · 6 天前更新
最新进展11月7日 00:05
汉阳大学团队在Nature发表EF-SCN方法实现二维半导体单晶定点成核报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月7日
- Semiconductor Digest汉阳大学团队在Nature发表EF-SCN方法实现二维半导体单晶定点成核
汉阳大学团队提出蚀刻通量介导的单中心成核（EF-SCN）方法，利用氧化铪释放氧气抑制边缘成核，实现二维半导体单晶的精准定位生长。该技术在400个位点实现超99%单晶良率，制备的MoS₂场效应晶体管迁移率达117 cm² V⁻¹ s⁻¹，为高密度电子电路集成提供新框架。